在新材料和半導(dǎo)體制程不斷升級，并應(yīng)用中嚴(yán)酷的環(huán)境中，對材料的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的要求也越來越高，在早期電子產(chǎn)品測試500G以內(nèi)，到目前的千G，以至于萬G以上，業(yè)內(nèi)目前對大G值的沖擊驗證多限于氣動或簡易二沖平臺作用力下實現(xiàn)。

在設(shè)備廠家大力支持與配合下，本實驗室在約半年多時間，成功完成高加速沖擊設(shè)備試運(yùn)行工作，并在8月份國家實驗室組織的沖擊能力驗證中，以超高分達(dá)到要求。

設(shè)備規(guī)格：

 1. 一沖平臺

    - 平臺尺寸：250mm x 250mm

    - 波形：半正弦、方波

     - 最大加速度： 10,000g

     - 時域：0.1ms ~ 60ms

2. 二沖平臺

     - 平臺尺寸：120mm x 150mm

     - 波形：半正弦

     - 最大加速度：30,000g